淨化工程的潔淨室中的溫度和氣壓控製

淨化工程的潔淨室中的溫度和氣壓控製

環保潔淨淨化要求越來越受到人們(men) 的關(guan) 注，尤其是霧霾天氣的增多。淨化工程是環保措施之一，如何利用淨化工程來做好環保工作，下麵來說說淨化工程中的控製。

一、潔淨室中的溫濕度控製
潔淨空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔淨度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴(yan) 的趨勢。

具體(ti) 工藝對溫度的要求以後還要列舉(ju) ，但作為(wei) 總的原則看，由於(yu) 加工精度越來越精細，所以對溫度波動範圍的要求越來越小。例如在大規模集成電路生產(chan) 的光刻曝光工藝中，作為(wei) 掩膜板材料的玻璃與(yu) 矽片的熱膨脹係數的差要求越來越小。

直徑100 um的矽片，溫度上升1度，就引起了0.24um線性膨脹，所以必須有±0.1度的恒溫，同時要求濕度值一般較低，因為(wei) 人出汗以後，對產(chan) 品將有汙染，特別是怕鈉的半導體(ti) 車間，這種車間不宜超過25度。
濕度過高產(chan) 生的問題更多。相對濕度超過55%時，冷卻水管壁上會(hui) 結露，如果發生在精密裝置或電路中，就會(hui) 引起各種事故。相對濕度在50%時易生鏽。此外，濕度太高時將通過空氣中的水分子把矽片表麵粘著的灰塵化學吸附在表麵耐難以清除。

相對濕度越高,粘附的難去掉，但當相對濕度低於(yu) 30%時，又由於(yu) 靜電力的作用使粒子也容易吸附於(yu) 表麵，同時大量半導體(ti) 器件容易發生擊穿。對於(yu) 矽片生產(chan) 更佳溫度範圍為(wei) 35—45%。

二、潔淨室中的氣壓規定
對於(yu) 大部分潔淨空間，為(wei) 了防止外界汙染侵入，需要保持內(nei) 部的壓力（靜壓）高於(yu) 外部的壓力（靜壓）。
壓力差的維持一般應符合以下原則：
1、潔淨空間的壓力要高於(yu) 非潔淨空間的壓力。
2、潔淨度級別高的空間的壓力要高於(yu) 相鄰的潔淨度級別低的空間的壓力。
3、相通潔淨室之間的門要開向潔淨度級別高的房間。

壓力差的維持依靠新風量，這個(ge) 新風量要能補償(chang) 在這一壓力差下從(cong) 縫隙漏泄掉的風量。所以壓力差的物理意義(yi) 就是漏泄（或滲透）風量通過潔淨室的各種縫隙時的阻力。